El chipmaker chino CXMT arranca la producción masiva de su plataforma de memoria DRAM de quinta generación
CXMT presentó en Hefei su plataforma G5, con una nueva línea de memoria LPDDR5X, y afirma producir al menos 50% más chips por oblea que su generación anterior sin depender de la maquinaria de litografía que Occidente le tiene vetada.
El fabricante chino de memoria CXMT anunció en la Convención Mundial de Manufactura 2026, en Hefei, que ya inició la producción masiva de su plataforma DRAM de quinta generación, conocida como G5, junto con una nueva línea de productos LPDDR5X construida sobre ella. La compañía dice haber reducido el medio paso ('half-pitch') del área activa de su arreglo de memoria a 11.95 nanómetros, y asegura que la G5 rinde al menos 50% más chips utilizables por oblea que su generación previa.
El logro es relevante porque CXMT ha alcanzado este nodo sin acceso a las máquinas de litografía ultravioleta extrema de ASML, sujetas a controles de exportación hacia China, lo que alimenta el debate sobre qué tan efectivas siguen siendo esas restricciones para frenar el avance de la manufactura de chips china.
En términos de escala, CXMT pasó de fabricar cerca de 40,000 obleas mensuales en 2020 a unas 300,000 obleas al mes entre sus plantas de Hefei y Beijing, con el objetivo de llegar a entre 350,000 y 375,000 obleas mensuales para fin de 2026. Según datos de TrendForce, la empresa ya tenía el segundo trimestre del año una participación del 9.5% en los ingresos globales de DRAM, en cuarto lugar detrás de Samsung, SK hynix y Micron, un mercado del que dependen tanto los servidores de IA como cualquier dispositivo con memoria.